
尽管发光二极管与光电二极管均基于硅或化合物半导体材料构成的PN结,但在具体结构设计上存在显著差异。
| 参数项 | 发光二极管(LED) | 光电二极管(Photodiode) |
|---|---|---|
| 典型工作电压 | 2–4V(视颜色而定) | 5–30V(反向偏置) |
| 典型电流范围 | 10–100mA | 几μA 到 几mA |
| 光输出功率 | 1–100mW(可见光) | 无输出,仅感应电流 |
| 响应波长范围 | 380nm – 1600nm(可调) | 190nm – 1100nm(依赖材料) |
在许多智能设备中,发光二极管与光电二极管常常配合使用,构成“光耦合器”或“光传感器模块”。例如:
随着新材料(如钙钛矿、二维材料)的发展,两类器件的性能将进一步提升。例如,新型LED有望实现更高亮度与更低能耗;而高灵敏度光电二极管则可能应用于生物医学成像与量子通信。
发光二极管与光电二极管虽同属半导体光电器件,但功能互补、结构各异、应用场景分明。正确理解二者之间的本质区别,有助于在电子产品设计、自动化系统集成及科研开发中做出更精准的选择与优化。
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